待核

台积电应英伟达要求规划3D DRAM，台积电称不评论传闻

芯-4 · 早间速报 09:00 · 2026-11-06

一句话　台积电正考虑进入先进内存芯片制造，已应最大客户英伟达要求开始规划生产3D DRAM。

中文标题多写成"台积电要做内存了"，这句不错但容易误导——3D DRAM是堆叠DRAM而非HBM，路线与用途均不同。台积电回应不评论传闻。

待核项　未落实项：原始报道为 The Information 2026-11-06，不在本时段；台积电未确认；"3D DRAM与HBM不是一回事"的技术定性需专业核实

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The Information 2026-11-06（两名知情人士），经中文科技号转述 /092026-11-07

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